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5SHY35L4520 IGCT模块 产品说明

产品型号:5SHY35L4520
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详细介绍


5SHY35L4520   IGCT模块 

IGCT与GTO相似,也是四层三端器件, GCT内部由成千个GCT组成,阳极和门极共用,而阴极并联在一起。 与GTO有重要差别的是IGCT阳极内侧多了缓冲层,以透明可穿透)阳极代替GTO的短路阳极。导通机理与GTO完全-样,但关断机理与GTO完全不同,在IGCT的关断过程中,GCT能瞬间从导通转到阻断状态,变成-个pnp晶体管以后再关断,所以它无外加du/dt限制;而GTO必须经过一个既非导通又非关断的中间不稳定状态进行转换(即”GTO区”) ,所以GT0需要很大的吸收电路来抑制重加电压的变化率du/dt.阻断状态下IGCT的等效电路可认为是一个基极开路、 低增益pnp晶体管与栅极电源的串联。

经济发展,电力先行。随着国民经济的快速发展,中国电力工业也取得了高速增长。5SHY35L4520    IGCT模块  由于我国多煤、贫油、少气,因此发电结构以火电为主,而火电以燃煤为主。但煤炭作为碳排放强度更大的化石能源,在“碳达峰、碳中和”的目标下,众多燃煤发电企业都面临着绿色低碳转型的迫切压力。

  输煤系统作为火力发电企业的重要构成部分之一,不仅关乎着锅炉实际燃烧用煤的传输、配比和掺烧,同时也负责煤碳的运输、卸载和存储。故而,保证输煤系统的高效、稳定运行,将直接影响到锅炉的实际燃烧效率,直接决定着发电企业碳精益管理的高效、准确、精细化。图尔克以模块化分布式控制取代传统的集中控制管理5SHY35L4520   IGCT模块 将火电的输煤监控点做到彻底的分散,提升输煤系统智能化水平,有力推动输煤向“安全高效、清洁低碳、智能灵活”方向的转型。

5SHY35L4520    IGCT模块    产品说明

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厦门雄霸有限公司漳州分公司产品内容为分布式控制系统(DCS)、可编程序控制器(PLC)、MOTOROL A MVME工业用模组、工业控制通訊转换器(Anybus)、远端输出/输入模块(RTU)、工业电脑(IPC)、工业用低頻萤幕(IPC)、人机界面SCSI(50、68、 80Pin) AnyBus(Gateway)现已成一家全球性的工 业自动化备件及零部件的销售企业我司能直接从境外进货、能够提供不同国别、厂商的设备以及备件、解决您多处寻找的麻烦或对产品质星问题的担心等、在价格上我们有很大的优势、产品详细信息、竭诚欢迎您来电查询或使用E mail查询

5SHY35L4520    IGCT模块 

IGCT has made great progress in power, reliability, off speed efficiency, cost, weight and volume of converter devices, bringing a new leap to power electronics plants. IGCT integrates the GTO chip with an anti-shunt diode and a gate driver circuit, and then connects it with its gate driver in a low-inductance manner at the periphery, combining the stable turn-off ability of the transistor and the advantages of low on-state loss of the thyristor, giving full play to the performance of the thyristor in the conduction stage, and presenting the characteristics of the transistor in the shutdown stage. IGCT has the characteristics of large current, high voltage, high switching frequency, high reliability, compact structure, low loss, etc., and has a good application prospect due to low cost and high yield. GTO using thyristor technology is a commonly used high-power switching device, which has higher performance than IGBT using transistor technology in the cut-off voltage, but the widely used standard GTO drive technology causes an uneven turn-on and turn-off process, requiring high-cost DV/dt and I/dt absorption circuits and larger power gate driver units, resulting in reduced reliability, higher prices, and is not conducive to series connection. However, before the maturity of high-power MCT technology, IGCT has become the preferred solution for high-voltage, high-power low-frequency exchangers.

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