5SHY4045L0001 集成门极换流晶闸管 推广应用局面

5SHY4045L0001  集成门极换流晶闸管

集成门极换流晶闸管|GCT (Integrated Gate-Commutated Thyristor)有的厂家也称为GCT (Gate-Commutated Thyristor)， 即]极换流晶闸管，是20世纪90年代后期出现的新型电力电子器件。集成门极换流晶闸管IGCT将IGBT与GTO的优点结合起来,其容量与GTO相当,开关速度比GTO快10倍，而且可以省去GTO应用是庞大而复杂的缓冲电路，只不过其所需的驱动功率仍然很大。目前，IGCT正在与IGBT以及其他新型器件激烈竞争，试图终取代GTO在大功率场台的位置。
 

索德西亚集团（Sodecia）的全球技术与自动化中心（GTAC）主要为汽车行业量产定制要求极高的制造机械。他们采用已在整个Sodecia集团标准化使用的基于 PC 和 EtherCAT 的倍福控制和驱动技术重新设计了一款汽车安全带装配设备。

　　Sodecia GTAC 位于加拿大安大略省伦敦，5SHY4045L0001  集成门极换流晶闸管是葡萄牙 Sodecia 集团旗下的自动化事业部。2021 年，GTAC 收到一份订单，为一家合作多年的全球汽车制造商重新设计一款能够提升安全带高度调节器装配设备产量的设备，但项目工期要求非常紧。

　　多年来，GTAC 已经投入了大量时间和资源构建标准化的控制架构和模块化、可重复使用的代码。“通过我们的控制代码，我们将项目完成时间从通常的 8 个月至 1 年缩短到 3 至 4 个月。”Sodecia GTAC 控制工程师 Chris Drees 说道。“这意味着我们的任何一名工程师都可以根据故障代码轻松排除标准设备或定制设备的故障。”

　　因此，无论生产计划多么紧张，Sodecia 都能出色完成任务。据 Sodecia GTAC 的前独立自动化事业部创建人之一的 Brent Lekx-Toniolo 称，这种竞争优势具有必然性。“由于客户订购的设备需要尽快投入使用，我们在 2000 年左右设计了构建框架的方案。”2007 年，GTAC 利用倍福在控制和通信技术方面的优势，实现了这一框架。“5SHY4045L0001  集成门极换流晶闸管在对其它控制平台进行了大量试验和反复比较后，我们发现倍福就是我们等待已久的解决方案。”Brent Lekx-Toniolo 补充道。“倍福从那时起就一直是我们值得信赖的合作伙伴。”

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5SHY4045L0001  集成门极换流晶闸管

5SHY3545L0020 3BHE014105R0001 IGCT has made significant progress in power, reliability, switching speed, efficiency, cost, weight, and volume of the converter device, bringing a new leap to the complete power electronic device. IGCT integrates GTO chips with anti parallel diodes and gate drive circuits, and then connects them with their gate drivers in a low inductance manner on the periphery. It combines the stable turn-off ability of transistors and the advantages of low on state losses of thyristors, exerting the performance of thyristors during the conduction phase, and presenting the characteristics of transistors during the turn-off phase. IGCT has the characteristics of high current, high voltage, high switching frequency, high reliability, compact structure, low losses, and low manufacturing cost, high yield, and has good application prospects. GTO using thyristor technology is a commonly used high-power switching device, which has higher performance in cutoff voltage than IGBT using transistor technology. 5SHY3545L0020 3BHE014105R0001 However, the widely used standard GTO drive technology causes uneven opening and closing processes, requiring high cost dv/dt and di/dt absorption circuits and high-power grid drive units, resulting in reduced reliability, high prices, and is not conducive to series connection. However, before the high-power MCT technology was mature, IGCT had become the preferred solution for high-voltage high-power low-frequency AC converters.

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